640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測(cè)器

640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測(cè)器，此InGaAs焦平面陣列是應(yīng)用在900nm-1700nm/1100nm-1900nm/1200nm-2200nm的近紅外成像和成像光譜技術(shù)，尤其是在非制冷條件下的優(yōu)化解決方案，CLPT的核心技術(shù)是實(shí)現(xiàn)優(yōu)良品質(zhì)的InGaAs焦平面陣列，CLCC封裝也便于CCD與CMOS數(shù)碼相機(jī)銷售商的機(jī)械設(shè)計(jì)。

產(chǎn)品時(shí)間：2025-02-11

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產(chǎn)品介紹

LD-FPA-640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測(cè)器

640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測(cè)器

西安立鼎光電科技有限公司提供高品質(zhì)InGaAs短波探測(cè)器，產(chǎn)品從點(diǎn)元探測(cè)器到面陣探測(cè)器，質(zhì)量可靠，價(jià)格合理，得到世界客戶的廣泛認(rèn)可和應(yīng)用。

InGaAs短波焦平面探測(cè)器產(chǎn)品應(yīng)用在近紅外成像和光譜技術(shù)成像上，包括非制冷型（無(wú)TEC）和制冷型（TEC）型。產(chǎn)品應(yīng)用穩(wěn)定成熟的工藝，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該產(chǎn)品選用常規(guī)封裝，便于CCD與CMOS相機(jī)集成商的機(jī)械設(shè)備；集成嵌入式TEC進(jìn)一步提高了探測(cè)器的靈敏度，并通過(guò)密閉金屬封裝來(lái)實(shí)現(xiàn)其高可靠性。

產(chǎn)品型號(hào)

InGaAs面陣探測(cè)器的響應(yīng)波段為900-1700nm/2200nm，目前可提供320x256和640x512陣列。此陣列探測(cè)器利用覆晶裝訂技術(shù)可以使其與讀出電路緊密結(jié)合，同時(shí)采用LCC及Kovar氣密封裝，且表面鍍有抗反射膜。我們可以根據(jù)客戶的需求定制封裝不同的產(chǎn)品。

型號(hào)	FPA0640P15F-17-C	FPA0640P15F-17-T1/T2	FPA0640P15F-1.9-T2	FPA0640P15F-2.2-T2	FPA-640×512-K
材料	InGaAs	InGaAs	InGaAs	InGaAs	InGaAs
響應(yīng)波段	0.9um-1.7um 0.6um-1.7um	0.9um-1.7um	1.1–1.9 um	1.2um-2.2um	0.9um-1.7um
圖像分辨率	640×512	640×512	640×512	640×512	640×512
像元尺寸	15um	15um	15um	15um	25um
靶面尺寸	9.6mm×7.68mm	9.6mm×7.68mm	9.6mm×7.68mm	9.6mm×7.68mm	16mm×12.8mm
封裝	64-pin CLCC	28-pin SDIP Package	28-pin SDIP Package	28-pin Metal SDIP Package	28-pin MDIP
重量	1.7g	19.5g(±0.5)	19.5g(±0.5)	19.5g(±0.5)	24.6g/24.467g
有效像元率	>99.5%	>99.5%	>99%	≥98%	>99%
暗電流	≤30fA	≤20fA	≤100 fA	≤25fA	≤0.2pA
量子效率	≥70%	≥70%	≥ 70%	≥60%	≥70%
響應(yīng)非均勻性	≤2%	≤2%	≤4%	≤4%	≤2%
非線性(最大偏差)	≤5%	≤5%	≤10%	≤10%	≤10%
增益	High:46.2uV/e- Low:1.39uV/e-	High:46.2uV/e- Low:1.39uV/e-	High: 46.2 uV/e – Low:1.39uV/e-	High:99.9uV/e- Low:1.33uV/e-	High:23.6uV/e- Low:1.26 uV/e-
滿阱容量	High:0.041Me- Low:1.38Me-	High:0.041Me- Low:1.38Me-	High:0.041Me- Low:1.38Me-	High:0.019Me- Low:1.440Me-	High:0.118Me- Low:1.9Me-
TEC制冷	非制冷	TE1/TE2/非制冷	TE2	TE2	TE1/TE2
工作溫度	-40℃—+70℃	-40℃—+70℃	-40℃—+70℃	-40℃—+70℃	-20℃—+85℃
儲(chǔ)存溫度	-40℃—+70℃	-40℃—+70℃	-40℃—+80℃	-40℃—+70℃	-40℃—+85℃
功耗	200mw	200mw**	200mw	200mw	325mw**