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vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）
vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）
TE制冷光電探測器
1、PV-2TE（2-12μm紅外光電探測器、熱電制冷）
特點：高性能的在2-12μm范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應(yīng)；無閃動噪聲；使用方便；動態(tài)范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設(shè)計。
描述：PV-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。這些器件在2～11µm范圍內(nèi)的任意值可以優(yōu)化為zui高性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標(biāo)準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨?？梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）
詳細規(guī)格：
特性（@ 20ºC） | 單位 | PV-2TE-3 | PV-2TE-4 | PV-2TE-5 | PV-2TE-6 | PV-2TE-8 | PV-2TE-10.6 |
*特性波長λop | μm | 3 | 4 | 5 | 6 | 8 | 10.6 |
探測率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W |
≥8?1010 ≥5?1010 |
≥1.5?1010 ≥1?1010 |
≥8?109 ≥5?109 |
≥4?109 ≥2?109 |
≥8?108 ≥4?108 |
≥3?108 ≥1?108 |
響應(yīng)度 | A/W | ≥1.2 | ≥1.3 | ≥1.3 | ≥1.2 | ≥1 | ≥0.7 |
響應(yīng)時間τ | ns | ≤15** | ≤20** | ≤20** | ≤10** | ≤7** | ≤3** |
并聯(lián)電阻-光學(xué)面積 | Ω·cm 2 | ≥0.3 | ≥0.10 | ≥0.02 | ≥0.006 | ≥0.001 | ≥0.0001 |
光學(xué)面積（長×寬） 或直徑 (圓形) | mm x mm mm | 0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø 0.025; ø 0.05; ø 0.1; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3 | |||||
工作溫度 | K | 220-240 | |||||
視場, F# | deg | 60, 0.5 | |||||
2、PVI-2TE（2-12μm紅外光電探測器、熱電制冷、光侵入式）
特點：高性能的在2-12μm范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應(yīng)；無閃動噪聲；使用方便；動態(tài)范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設(shè)計。
描述：PVI-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標(biāo)準)或者過半球透鏡（可選）進行光照入。這些器件在2～11µm范圍內(nèi)的任意值可以優(yōu)化為zui高性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標(biāo)準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。
詳細規(guī)格：
特性（@ 20ºC） | 單位 | PVI-2TE-3 | PVI-2TE-4 | PVI-2TE-5 | PVI-2TE-6 | PVI-2TE-8 | PVI-2TE-10.6 |
*特性波長λop | μm | 3 | 4 | 5 | 6 | 8 | 10.6 |
探測率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W |
≥2?1011 ≥1.5?1010 |
≥6?1010 ≥4?1010 |
≥3?1010 ≥2?1010 |
≥2?1010 ≥1?1010 |
≥5?109 ≥2?109 |
≥3?109 ≥1?109 |
響應(yīng)度 | A/W | ≥1.2 | ≥1.3 | ≥1.3 | ≥1.2 | ≥1 | ≥0.7 |
響應(yīng)時間τ | ns | ≤15** | ≤20** | ≤20** | ≤10** | ≤7** | ≤3** |
并聯(lián)電阻-光學(xué)面積 | Ω·cm 2 | ≥30 | ≥10 | ≥2 | ≥0.6 | ≥0.1 | ≥0.01 |
光學(xué)面積（長×寬） 或直徑 (圓形) | mm x mm mm | 0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.2; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3 | |||||
工作溫度 | K | 220-240 | |||||
視場, F# | deg | 35,1.65 | |||||
3、PVM-2TE（2-12μm紅外光電探測器、倍增結(jié)構(gòu)、熱電制冷）
特點：高性能的在2-12μm范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應(yīng)；無閃動噪聲；使用方便；動態(tài)范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設(shè)計。
描述：PV-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。這些器件可以優(yōu)化為更長波長,更大面積的更高性能器件。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標(biāo)準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。
詳細規(guī)格：
特性（@ 20ºC） | 單位 | PVM-2TE-8 | PVM-2TE-10.6-2 |
*特性波長λop | µm | 8 | 10.6 |
探測率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W | ≥6?108 ≥3?108 | ≥2?108 ≥1?108 |
響應(yīng)度 – at λop* | V x mm /W | ≥2 | ≥0.5 |
響應(yīng)時間τ | ns | ≤7 | ≤3 |
電阻 | Ω | 40－300 | 30－200 |
光學(xué)面積（長×寬） | mm x mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; | |
工作溫度* | K | 220-240 | |
視場, F#* | deg | 60, 0.5 | |
4、PVMI-2TE（2-12μm紅外光電探測器、倍增結(jié)構(gòu)、熱電制冷、光侵入式）
特點：高性能的長波長范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應(yīng)；無閃動噪聲；使用方便；動態(tài)范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設(shè)計。
描述：PVMI-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標(biāo)準)或者過半球透鏡（可選）進行光照入。這些器件可以優(yōu)化為更長波長,更大面積的更高性能器件。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標(biāo)準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。
詳細規(guī)格：
特性（@ 20ºC） | 單位 | PVMI-2TE-10.6 |
*特性波長λop | µm | 10.6 |
探測率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W | ≥2?109 ≥1?109 |
響應(yīng)度 – at λop | V·mm /W | ≥7 |
響應(yīng)時間τ | ns | ≤3 |
電阻* | Ω | 30-200 |
光學(xué)面積 （長×寬 ） | mm x mm | 0.1×0.1；0.25×0.25；0.5×0.5；1×1；2×2； |
工作溫度* | K | 220-240 |
視場, F#* | deg | 35，1.65 |
5、PC-2TE（2-12μm紅外光電探測器、熱電制冷）
特點：高性能在2-14μm范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應(yīng)；使用方便；動態(tài)范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設(shè)計
描述：PC-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標(biāo)準)或者過半球透鏡（可選）進行光照入。這些設(shè)備在2～14µm范圍內(nèi)的任意值可以優(yōu)化為zui高性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標(biāo)準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。
詳細規(guī)格：
特性（@ 20ºC） | 單位 | PC-2TE-4 | PC-2TE-5 | PC-2TE-6 | PC-2TE-9 | PC-2TE-10.6 | PC-2TE-12 |
*特性波長λop | µm | 4 | 5 | 6 | 9 | 10.6 | 12 |
探測率: at ?λpeak, 20kHz at λop, 20kHz | cmHz1/2/W | >4E10 >2E10 | >2E10 >1E10 | >6E9 >3E9 | >2E9 >8E8** | >5E8 >2.5E8** | >4E8 >1.5E8** |
響應(yīng)度-atλop1x1 mm | V/W | >1000 | >500 | >70 | >5 | >3 | >1 |
響應(yīng)時間τ | ns | <4000 | <2000 | <1000 | <20 | <10 | <2 |
1/f噪聲拐點頻率 | kHz | 1-10 | 1-10 | 1-10 | 1-10 | 1-20 | 1-20 |
有效面積, (長 × 寬) | mm × mm | 0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; | |||||
偏置電流-寬度比* | mA/mm | 1－2 | 2－4 | 4－8 | 4－10 | 5－15 | 5－15 |
薄層電阻系數(shù) | Ω/sqr | 600-1500 | 300-500 | 200-400 | 80-200 | 50-150 | 50-150 |
視場, F# | deg | 60, 0.5 | |||||
6、PCI-2TE（2-12μm紅外光電探測器、熱電制冷、光侵入式）
特點：高性能在2-14μm范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應(yīng)；使用方便；與快速元器件*兼容；動態(tài)范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設(shè)計
描述：PCI-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標(biāo)準)或者過半球透鏡（可選）進行光照入。這些設(shè)備在2～14µm范圍內(nèi)的任意值可以優(yōu)化為zui高性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過zui近開發(fā)的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標(biāo)準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。
詳細規(guī)格：
特性（@ 20ºC） | 單位 | PCI-2TE-4 | PCI-2TE-5 | PCI-2TE-6 | PCI-2TE-9 | PCI-2TE-10.6 | PCI-2TE-12 | |
*特性波長λop | µm | 4 | 5 | 6 | 9 | 10.6 | 12 | |
探測率: at λ? peak, 20kHz at λop, 20kHz | cmHz1/2/W | >1E11 >5E10 | >6E10 >3E10 | >2E10 >1E10 | >9E9 >4E9 | >5E9 >2.5E9 | >4E9 >1.5E9 | |
響應(yīng)度- atλop1x1 mm | Vmm/W | >6000 | >3000 | >600 | >40 | >25 | >15 | |
響應(yīng)時間τ | ns | <4000 | <2000 | <1000 | <20 | <10 | <2 | |
1/f噪聲拐點頻率 | kHz | 1-10 | 1-10 | 1-10 | 1-10 | 1-20 | 1-20 | |
有效面積, (長×寬) | mm×mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; | ||||||
偏置電流-寬度比* | mA/mm | 0.05－0.3 | 0.1－0.5 | 0.3－0.8 | 2－5 | 5－20 | 5－20 | |
薄層電阻系數(shù) | Ω/sqr | 600-1500 | 300-500 | 200-400 | 50-200 | 50-150 | 50-150 | |
視場, F# | deg | 35, 1.65 | ||||||
